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碩士研究生入學(xué)考試大綱
加試科目名稱：微電子器件工藝
一、參考書目
《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社 2003.1 Stephen A. Campbell
二、考試要求：
系統(tǒng)地掌握外延、擴(kuò)散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電子工藝原理，并能完成工藝設(shè)計。
三、考試內(nèi)容：
1）加工環(huán)境與襯底制備
a: 微電子器件的加工環(huán)境 b: IC 發(fā)展與硅材料的關(guān)系
c: 襯底制備
2）外延
a: 外延工藝 b: 外延層質(zhì)量的控制 3）氧化技術(shù)
a: 二氧化硅在微電子器件制造中的用途
b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制備方法
3) 擴(kuò)散技術(shù)
a: 摻雜在微電子器件中的應(yīng)用
b: 摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴(kuò)散、固態(tài)源擴(kuò)散和擴(kuò)散層質(zhì)量分析與檢驗
c: 離子注入
4）光刻技術(shù)
a: 光刻膠的特性和配制 b: 光刻工藝
c: 光刻質(zhì)量分析
5) 制版技術(shù)
a: 掩模版圖形的形成 b: 電子束制版
6) 表面圖形的形成
a: 濕法腐蝕、干法腐蝕、砷化鎵腐蝕、
7) 表面鈍化
a: 鈍化方法
8) 隔離技術(shù)
a: PN 結(jié)隔離技術(shù) b: 二氧化硅介質(zhì)隔離
9) 電極制備及封裝
a: 歐姆接觸 b: 蒸發(fā)與濺射 c:平坦化技術(shù)
10) CMOS 集成電路工藝設(shè)計
a:CMOS 工藝設(shè)計 b:多晶硅柵制造工藝 c:CMOS 工藝設(shè)計規(guī)則
d: n 阱 CMOS 反相器的電路與管芯制造工藝過程
11) 超純水的制備
a:超純水的制備方法 b:微電子器件使用的制水系統(tǒng)
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