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碩士研究生入學(xué)考試大綱 加試科目名稱:微電子器件工藝 一、參考書目 《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社 2003.1 Stephen A. Campbell 二、考試要求: 系統(tǒng)地掌握外延、擴(kuò)散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電子工藝原理,并能完成工藝設(shè)計。 三、考試內(nèi)容: 1)加工環(huán)境與襯底制備 a: 微電子器件的加工環(huán)境 b: IC 發(fā)展與硅材料的關(guān)系 c: 襯底制備 2)外延 a: 外延工藝 b: 外延層質(zhì)量的控制 3)氧化技術(shù) a: 二氧化硅在微電子器件制造中的用途 b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制備方法 3) 擴(kuò)散技術(shù) a: 摻雜在微電子器件中的應(yīng)用 b: 摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴(kuò)散、固態(tài)源擴(kuò)散和擴(kuò)散層質(zhì)量分析與檢驗 c: 離子注入 4)光刻技術(shù) a: 光刻膠的特性和配制 b: 光刻工藝 c: 光刻質(zhì)量分析 5) 制版技術(shù) a: 掩模版圖形的形成 b: 電子束制版 6) 表面圖形的形成 a: 濕法腐蝕、干法腐蝕、砷化鎵腐蝕、 7) 表面鈍化 a: 鈍化方法 8) 隔離技術(shù) a: PN 結(jié)隔離技術(shù) b: 二氧化硅介質(zhì)隔離 9) 電極制備及封裝 a: 歐姆接觸 b: 蒸發(fā)與濺射 c:平坦化技術(shù) 10) CMOS 集成電路工藝設(shè)計 a:CMOS 工藝設(shè)計 b:多晶硅柵制造工藝 c:CMOS 工藝設(shè)計規(guī)則 d: n 阱 CMOS 反相器的電路與管芯制造工藝過程 11) 超純水的制備 a:超純水的制備方法 b:微電子器件使用的制水系統(tǒng)
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