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銆€銆€1銆� Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD锛孋hin. Phys. Lett锛�22 (2005) 1260

銆€銆€2銆� Investigation of the a-Si:H Films by Using Thermal and Light-Induced Annealing Treatment in Atomic Hydrogen Atmosphere in H-W-ECR CVD System锛孋hinese Physics锛�2005, 14(7)锛�1876

銆€銆€3銆� Infrared-Transmission Spectra and Hydrogen Content of Hydrogenated Amorphous Silicon. Science in China Ser. G. 2004, 47(3)锛�381鈥�392 (绗竴浣滆€咃紝SCI鏀堕寗)

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銆€銆€5銆� Growth Rate of a-Si鈭禜 Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System. Chinese Journal of Semiconductors. 2004, 25(6)锛� 613鈥�619 (绗竴浣滆€�锛孍I鏀堕寗)

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銆€銆€7銆� Investigation on deposition of a-Si:H films with uniformity in large area base on HW-MWECR-CVD system. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15锛孫ctober 10-15,2005, Shanghai China. P834(绗竴浣滆€�)

銆€銆€8銆� Investigation of microcrystalline silicon film prepared by Layer-By-Layer technology. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15, October 10-15,2005, Shanghai China. P957(绗竴浣滆€�)

銆€銆€9銆� Improvement on the conventional MWECR-CVD system and preparation of hydrogenated amorphous silicon films. Vacuum. 2005, 77: 355鈥�358 (绗洓浣滆€�锛孲CI鏀堕寗锛屽鐢熺涓€浣滆€�)

銆€銆€10銆� Simulation Analysis on Effects of Back Surface Field on p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H Heterojunction Solar Cell锛孋hinese Journal of Semiconductors锛�2009(6)(绗竴浣滆€�锛孍I鏀堕寗)

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銆€銆€12銆� Preparation Of High-Quality Hydrogenated Amorphous Silicon Film with A New Microwave Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapour Deposition System Assisted with Hot Wire. Chinese Physics. 2005, 14(4)锛�834(绗叚浣滆€咃紝SCI鏀堕寗锛屽鐢熺涓€浣滆€�)

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銆€銆€14銆� Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films. Chinese Physics. 2005, 14(11)锛�2348     (绗叚浣滆€�锛孲CI鏀堕寗锛屽鐢熺涓€浣滆€�)

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